transistor a effet de champ

من طرف **houria** الأحد 21 يوليو 2013, 8:48 am

Selon la Méthode d'analyse, M. J.Neuenschwander
SYMBOLES*	CANAL N J-FET MOS-FET à MOS-FET à appauvrissement enrichissement CANAL P J-FET MOS-FET à MOS-FET à appauvrissement enrichissement D: DRAIN G: GRILLE S: SOURCE B: SUBSTRAT
FONCTION*	Un transistor à effet de champ permet de commander un "grand" courant drain - source IDS à l'aide d'une tension de commande grille - source UGS. Un canal dopé (P ou N) entre Drain et Source est rendu +/- conducteur par une jonction PN entre Grille et Source polarisée en inverse. C'est une commande en tension car il n'y a pratiquement aucun courant demandé par la grille.
SPECIFICATIONS TYPES*	Puissance maximale PFET MAX. [W] Caractéristique de transfert IDS = f (UGS) Tension Drain - Source maximale UDS MAX. [V] Courant Drain - Source maximal IDS MAX. [A] Le courant de grille est pratiquement nul IG @ pA
TECHNOLOGIE	Tous les transistors actuels sont à base de silicium. Par contre, les mêmes boîtiers peuvent contenir soit des transistors soit un autre composant. Rien ne permet de les distinguer. Le contact mécanique avec le châssis de l'appareil est important pour le refroidissement et doit être réalisé avec soin.
UTILISATIONS	Petits signaux : Utilisés pour l'amplification en radio et vidéo fréquences. Egalement pour la commande et commutation. Grands signaux : Présents dans les montages finaux (amplis de puissance) et dans les alimentations en interrupteurs de puisssance.
METHODE DE CONTRÔLE*	Les J-FET ne supportent pas les ohmmètres à aiguilles. Les MOS-FET sont eux sensibles aux décharges électrostatiques. La mesures des principales caractéristiques tensions - courants est réalisable sans trop de difficultés mais demande un grand nombre de manipulations.

من طرف **maria 2013** الإثنين 13 يناير 2014, 5:11 pm

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